真空接觸器的控制回路應滿足下列要求：1)控制電源電壓應與廠用電控制系統電壓一致，采用直流11V或220V，也可以采用交流220V。專業MSD用熔斷器控制電壓應不小于額定值的85%，也不應大于額定值110%，分閘回路的控制電壓應不超過額定值的120%。2)接觸器的最小合閘電壓應不小于額定電壓的85%，最小跳閘電壓也應不小于額定電壓的65%。3)熔斷器操作完成后，接觸器(電保持型接觸器除外)的合、跳閘線圈應自動斷開合、跳閘回路。4)具有防止接觸器多次合跳的“防跳”功能。5)能監控控制電源及跳閘回路、備用設備自動投入回路的完好性。6)事故跳閘及備用設備投入應有明顯的信號。7)真空接觸器的輔助觸頭的數量應滿足控制和連鎖的要求。8)真空接觸器宜具有與開關柜的機械防誤操作連鎖結構。重慶MSD用熔斷器根據工程經驗，接觸器回路的“防跳”功能尤其重要。當開關柜或接觸器發生機械故障時發岀合閘命令(即合閘到故障點)，此時如果缺少“防跳”回路或者“防跳”回路不完全，即使發出保護跳閘命令或者手動跳閘命令。

電源側在電弧燃燒過程中也提供一部分能源。實際經驗表明，預期電流最大的情況下，往往并不對應燃弧消耗能量的最大值，然而，最大弧能的條件一般出現在預期電流達到(3~4)I。為開始限流的預期電流值)時。專業MSD用熔斷器滅弧的基本原理。熔斷器電弧的燃燒與熄滅，取決于弧道區域的游離與去游離的過程，當去游離過程大于游離過程時，電弧將熄滅。高壓熔斷器熔斷且產生電弧時，在弧柱區的高溫作用下，介質的分子和原子產生強烈運動，它們之間不斷發生碰撞，游離出電子和正離子，即熱游離。在電弧穩定燃燒的情況下，弧柱的溫度很高，電弧電壓和弧柱的電場強度則較低，這種情況下，弧柱的游離作用主要是靠熱游離來維持。在發生游離過程的同時，還進行著帶電質點減少的去游離過程。重慶MSD用熔斷器在穩定燃燒的電弧中，這兩個過程處于動平衡狀態。去游離的主要方式是復合和擴散。復合是異性帶電質點的電荷彼此中和。顯然，運動速度較低的帶電質點更易于相互接近而復合。因此，設法降低電弧溫度，是熄滅電弧的有效措施。

經試算，如果截流值達10A時，振蕩電壓幅值將達到7kV，約為兩倍以下相對地電壓。電弧重燃過電壓。高頻電弧重燃過電壓發生的幾率較高，過電壓幅值也很高。專業MSD用熔斷器有相關試驗表明，針對6kV系統，捕捉并記錄到的過電壓高達18.2kV（有效值），如果回路等值電感、電容匹配，理論上講，更高的過電壓也可能發生，只不過彼時電動機的絕緣已損壞，難以捕捉而已。分析高頻重燃過電壓。蘇熔電器可以分析出，負載側過電壓峰值由兩部分組成，第一項與負荷側等值電感中的電流有關，代表了負載側的磁場能量，第二項相當于第一次高頻重燃電弧過零熄滅后負載側等值電容上的電壓，代表了負載側的電場能量。專業MSD用熔斷器第一次高頻重燃電弧過零熄滅后，接觸器觸頭之間的恢復電壓將提高，在觸頭間隙還沒有達到安全開距的前提下，更容易發生第二次第三次重燃，即極間去游離過程還沒有建立足夠的介電強度，則更容易發生第二次第三次重燃。所以一定的滅弧時間即觸頭分離和下一次電流過零這一特定的時間間隔是必要的。

擴散是弧柱內自由電子、正離子逸出弧柱以外，到周圍冷介質中去的過程。擴散是由于帶電質點的不規則熱運動，以及空間電荷的分布不均勻，使電弧中的高溫離子由密集的空間向密度小，溫度低的方向擴散。專業MSD用熔斷器電弧和周圍介質的溫度差以及離子濃度差越大擴散作用也越強。擴散出來的離子，因冷卻而相互結合，成為中性質點顯然，如果游離過程大于去游離過程，電弧將繼續燃燒，并越燒越旺，如果去游離過程大于游離過程，電弧便越來越小，最后電弧將熄滅。由此分析，熄滅電弧的基本方法是設法冷卻電弧，設法加強復合和擴散形成的去游離過程。高壓限流熔斷器熄滅電弧的基本原理，就是當熔體元件熔化而出現電弧后，迫使電弧深入到周圍填料石英砂構成的縫隙中去，根據狹縫滅弧原理，電弧與石英砂緊密接觸，使電弧急劇冷卻，從而迫使電流急劇下降到零。當預期電流非常大，熔體元件熔化、蒸發、出現間隙及電弧時，這一過程在非常短的時間之內就已經完成，熔體元件在來不及向周圍填料石英砂傳熱的情況下，就已經熔斷并形成電弧。

多采用中性點不接地的運行方式，在這種條件下使用阻容吸收器，由于相對地電容值增大，電容電流也將隨之大幅度增大，這時需重新考慮中性點接地的接地方式及零序保護的配置。當火力發電廠單機容量為300MW及以上時，高壓廠用電系統的單相接地電容電流較大，多采用中性點經低電阻接地的方式，相對于大得多的低電阻接地的阻性電流來說，阻容吸收器電容電流的影響就不那么大了。專業MSD用熔斷器所以在高壓廠用電系統的中性點采用低電阻接地的接地方式的大容量機組中，采用阻容吸收器作為限制過電壓的措施在理論上已經成為了一種可行的措施，但針對不同系統，其具體參數需要進一步的運行測試檢驗。制過電壓的保護措施及過電壓保護裝置的選針對中性點低電阻接地系統，用于F-C回路的阻容過電壓吸收器可以采用不接地系統相同的電容值和電阻值，即可以取相間電容約為0.1~0.5F，相間電阻值約為100~500，相地電容約為0.2~1F，相地電阻值約為50~25002。由于重慶MSD用熔斷器單相接地故障時不存在相電壓升高為線電壓的問題，阻容過電壓吸收器宜采用星形接線方式，而不再是傳統上適用于中性點非接地系統的“三叉戟”型式。